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截至1月9日收盤，中微公司股價報336.68元/股，總市值為2108億元。尹志堯擬減持股票市值約為9764萬元。

公開資料顯示，尹志堯，1944年生，中國國籍，中國科學技術(shù)大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職于英特爾中心技術(shù)開發(fā)部，擔任工藝工程師；1986年至1991年，就職于泛林半導體，歷任研發(fā)部資深工程師、研發(fā)部資深經(jīng)理；1991年至2004年，就職于應(yīng)用材料，歷任等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品總部首席技術(shù)官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官；2004年至今，擔任中微公司董事長、總經(jīng)理、核心技術(shù)人員。2024年從公司獲得的稅前報酬總額為1485.14萬元。

中微公司2022年年報中仍明確標注尹志堯為美國公民；其2023年年報未披露國籍信息；直至2024年其年報正式確認已恢復中國國籍。

據(jù)紅網(wǎng)2018年的一篇報道，1944年，尹志堯出生在北平一個愛國世家。中學就讀于久負盛名的北京四中，本科畢業(yè)于天才云集的中科大。大學畢業(yè)后，尹志堯在蘭州煉油廠和中科院系統(tǒng)工作了近十年。1978年，“不安分”的他選擇繼續(xù)深造，考入北京大學化學系。1980年，他獲北大化學系碩士學位，后在親戚幫助下，到加州大學洛杉磯分校攻讀博士學位。僅僅三年半，他就拿到物理化學博士學位。

據(jù)媒體此前報道，2004年，時任上海市經(jīng)委副主任、曾推動中芯國際落地上海的江上舟，正為國產(chǎn)等離子刻蝕機的市場空白發(fā)愁。

那一年的上海世界半導體設(shè)備展上，尹志堯以應(yīng)用材料公司副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理的身份參展，與江上舟不期而遇。

彼時江上舟已罹患肺癌，仍系心國內(nèi)刻蝕機的自主研發(fā)，多番動員尹志堯回國創(chuàng)業(yè)。對尹志堯高齡回國的躊躇，江上舟豪言：“我是個癌癥病人，只剩下半條命，哪怕豁出這半條命，也想為國家造出光刻機、等離子刻蝕機，我們一起干吧！”

這一席話，堅定了尹志堯的創(chuàng)業(yè)決心。隨后經(jīng)尹志堯游說，麥仕義等十余位硅谷人才一同歸國，決意“瞄準”中國芯片刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的空白。

3年后，從零起步的中微公司研發(fā)出了首臺刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備，并成功運往國內(nèi)客戶，為產(chǎn)業(yè)需求提供優(yōu)質(zhì)高效和低成本的解決方案。

據(jù)上海證券報報道，近十年間，尹志堯帶領(lǐng)團隊持續(xù)突破技術(shù)壁壘，半導體設(shè)備領(lǐng)域的全國首臺套捷報頻傳：2015年，率先提出“皮米級”加工精度概念，開發(fā)出世界先進水平的CCP和ICP等離子體刻蝕設(shè)備；2018年，自主知識產(chǎn)權(quán)刻蝕機進入客戶5納米產(chǎn)線；2010年—2025年，推動開發(fā)了MOCVD\LPCVD\ALD\EPI\PEVCD一系列國際領(lǐng)先的薄膜設(shè)備；2025年，ICP雙反應(yīng)臺刻蝕機精度達0.1nm（納米），技術(shù)達到全球先進水平。

中微公司最新披露的三季報顯示，2025年前三季度，公司保持強勁發(fā)展勢頭，實現(xiàn)營業(yè)收入80.63億元，同比增長46.40%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤12.11億元，同比增長32.66%。

中微公司表示，根據(jù)規(guī)劃，未來五到十年，其對集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的覆蓋度將提升至60%，將攜手行業(yè)上下游的合作伙伴，實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康和安全的高質(zhì)量發(fā)展，力爭盡早在規(guī)模上和競爭力上成為國際一流的半導體設(shè)備公司。

（免責聲明：文章內(nèi)容和數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此操作，風險自擔。）

每日經(jīng)濟新聞綜合公開消息、上海證券報道、財聯(lián)社、紅網(wǎng)等

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